電磁場屏蔽原則 

單純的電場或磁場干擾源是很少見的，通常所說的電磁干擾是指電場和磁場同時(shí)存在的高頻電磁場干擾。電磁場屏蔽用于抑制干擾源和敏感設(shè)備距離較遠(yuǎn)時(shí)通過電磁場耦合產(chǎn)生的干擾，它必須同時(shí)屏蔽電場和磁場，通常采用電阻率小的良導(dǎo)體材料，空間干擾電磁波在入射到金屬體表面時(shí)會產(chǎn)生反射和吸收，電磁能量被衰減，從而起到屏蔽作用。

 由于頻率的不同，交變電磁場的干擾效應(yīng)區(qū)也不同，實(shí)際中應(yīng)區(qū)別對待。當(dāng)頻率較低時(shí)，電磁干擾主要表現(xiàn)在近場區(qū)，適用基于電偶極子和磁偶極子的近場屏蔽理論。在近場中，隨著干擾源的性質(zhì)不同，電場和磁場的大小也有很大區(qū)別。高電壓小電流干擾源以電場為主，可以只考慮電場屏蔽而忽略磁場干擾；低電壓大電流干擾以磁場為主，可以只考慮磁場屏蔽而忽略電場干擾。 隨著頻率的提高，電磁輻射能力增強(qiáng)，電磁干擾趨向于遠(yuǎn)場區(qū)，適用基于平面電磁波的屏蔽理論。在遠(yuǎn)場中，電場干擾和磁場干擾都不能忽略，需要同時(shí)對電場和磁場實(shí)施屏蔽?？梢圆捎脤?dǎo)電材料制作的且接地良好的屏蔽體，就可同時(shí)起到電場和和磁場屏蔽的雙重作用。 影響屏蔽體屏蔽效能的兩個(gè)因素：一個(gè)是整個(gè)屏蔽體的表面必須是導(dǎo)電連續(xù)的，另一個(gè)是不能有直接穿透屏蔽體的導(dǎo)體。 

小結(jié)：

靜電屏蔽和電場屏蔽的必要條件是高導(dǎo)電率材料加屏蔽體接地

 低頻磁場屏蔽的必要條件是高導(dǎo)磁率材料

 高頻磁場屏蔽的必要條件是高導(dǎo)電率材料

 遠(yuǎn)場電磁屏蔽的必要條件是高導(dǎo)電率材料加接地,包括薄膜屏蔽